PBRP113ZT,215 Nexperia Bipolartransistor (BJT) - 商品詳細情報
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Specifications
- Herstellername
- Nexperia
- Produktname
- PBRP113ZT,215
- Produkt Klassifikation
- Bipolartransistor (BJT)
- Lifecycle Status
- Active
- RoHS
- RoHS
- Transistor type
- PNP-Prebias
- Collector current
- 600mA
- DC electricity gain
- 190@50mA@5V|230@300mA@5V|190@600mA@5V
- Collector-emitter voltage
- 40V
- Package
- TO-236-3|SC-59|SOT-23-3
- Other names
- 568-7258-6-ND | 568-7258-2-ND | 568-7258-1-ND | 568-7258-1 | 568-7258-2 | 2156-PBRP113ZT,215-1727 | 568-7258-6 | PBRP113ZT,215-ND | PBRP113ZT T/R | PBRP113ZT215 | PBRP113ZT T/R-ND | 1727-5713-2 | 1727-5713-1 | 934058988215 | 1727-5713-6 | 5202-PBRP113ZT,215TR
- Gleichstromverstärkung (hFE) (Minimum)
- 230@300mA,5V
- Mounting Type
- Surface Mount
- Paket (Lieferant)
- TO-236 AB
- Power-Maximum
- 250mW
- Spannungs-Kollektor-Emitter-Durchbruch (maximal)
- 40V
- Stromabnehmer (Ic) (maximal)
- 600mA
- Stromabnehmerabschaltung (maximal)
- 500nA
- Type
- PNP
- Vce-Sättigung (maximal)
- 750mV@6mA,600mA
- Widerstands-Emitter-Basis (R2)
- 10kOhms
- Widerstandsbasis (R1)
- 1kOhms
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