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BSC060N10NS3GATMA1  Infineon Technologies  MOSFET  -  商品詳細情報

BSC060N10NS3GATMA1

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Produktübersicht

N-Channel 100 V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Lifecycle Status : NRND
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

Produktübersicht

N-Channel 100 V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Lifecycle Status : NRND
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

Product Information

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Datenblatt
Design/Simulation Data
Other Documents
Datenblatt
Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223011824662
Environmental and Reliability Data
Constitution Materials List(English) MCDS_2013-08-29_13-02-32_MA001065228_PG-TDSON-8-1.pdf
Package Information
Package Dimensions(English) PG-TDSON-8-1 | BSC060N10NS3GATMA1
Technical Data
Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013180237269
Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185238511

Specifications

Herstellername
Infineon Technologies
Produktname
BSC060N10NS3GATMA1
Produkt Klassifikation
MOSFET
Lifecycle Status
NRND
RoHS
RoHS
Field-effect transistor type
N-CH
Package
TDSON
Drain to Source voltage
100V
Continuous drain current
14.9A
Drain to Source on-state resistance
6mOhm
Other names
BSC060N10NS3 G | BSC060N10NS3 GDKR | BSC060N10NS3GATMA1TR | BSC060N10NS3 G-ND | SP000446584 | BSC060N10NS3 GTR | BSC060N10NS3 GTR-ND | BSC060N10NS3GATMA1CT | BSC060N10NS3 GCT-ND | BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND | BSC060N10NS3 GDKR-ND | BSC060N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND | BSC060N10NS3G | BSC060N10NS3GATMA1DKR | BSC060N10NS3 GCT
Type
Power MOSFET
Herstellerverpackung
Tape & Reel
Hersteller Verpackungsmenge
5000

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