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F3L150R07W2E3B11BOMA1  Infineon Technologies  IGBT-Modul  -  商品詳細情報

F3L150R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

IGBT-Modul

F3L150R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies

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Produktübersicht

IGBT Module Trench Field Stop Single 650 V 150 A 335 W Chassis Mount Module

Lifecycle Status : Active
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

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IGBT Module Trench Field Stop Single 650 V 150 A 335 W Chassis Mount Module

Lifecycle Status : Active
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

Product Information

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Datenblatt
Design/Simulation Data
Other Documents
Datenblatt
Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223011947720
Environmental and Reliability Data
Constitution Materials List(English) MCDS - Easy2-B
Technical Data
Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175804981
Catalog(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview
Catalog(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview

Specifications

Herstellername
Infineon Technologies
Produktname
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Produkt Klassifikation
IGBT-Modul
Lifecycle Status
Active
RoHS
RoHS
Maximum operating temperature
150C
Minimum operating temperature
-40C
Other names
F3L150R07W2E3_B11 | F3L150R07W2E3_B11-ND | 2156-F3L150R07W2E3B11BOMA1 | INFINFF3L150R07W2E3B11BOMA1 | SP000638568
Field-effect transistor type
N
Hersteller Verpackungsmenge
15

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