Herstellername

Infineon Technologies

Produktname

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Produkt Klassifikation

MOSFET

Lifecycle Status

Obsolete

RoHS

RoHS

Series name

CoolSiC(TM)

Field-effect transistor type

2N-Channel(Dual)

Package

Module

Drain to Source voltage

11200V

Continuous drain current

100A

Mounting Type

Chassis Mount

Other names

2156-FF11MR12W1M1B11BOMA1 | INFINFFF11MR12W1M1B11BOMA1 | FF11MR12W1M1_B11 | SP001602204

Eingangskapazität – (Ciss, wenn Vds angelegt wird)

7950pF@800V

Einschaltspannung – (Vgs bei angelegter Id)

5.55V@40mA

Einschaltwiderstand – (Rds, wenn Id,Vgs angewendet wird)

45mOhm@25A|15V(Typ)

FET Feature

Silicon Carbide(SiC)

Gate-Ladung – (bei Anwendung von Vgs)

250nC@15V

Operating temperature

-40 to 150C

Paket (Lieferant)

Module

Strom – Entleerung (Id) (25 °C)

100A

Herstellerverpackung

Tray

Hersteller Verpackungsmenge

24

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