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DTD114EKT146  Rohm  Bipolartransistor (BJT)  -  商品詳細情報

DTD114EKT146 Rohm

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DTD114EKT146

DTD114EKT146

Rohm

Bipolartransistor (BJT)

Rohm

Bipolartransistor (BJT)

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Produktübersicht

Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

Lifecycle Status : Active
ECCN EAR99

HTSN 8541210075

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Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R

Lifecycle Status : Active
ECCN EAR99

HTSN 8541210075

Product Information

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Design/Simulation Data
Symbol/Footprint/3D Model(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian
Other Documents
Datenblatt
Datasheet(English) EN_Rohm_データシート_20161101101043306
Datasheet(English) EN_Rohm_Datasheet_20180216131446957
Datasheet(English) EN_Rohm_Datasheet_20180315161938144
Datasheet(English) EN_Rohm_Datasheet_20180323000348275
Datasheet(English) EN_Rohm_Datasheet_20210617194534458
Environmental and Reliability Data
Other Environmental and Reliability Data(English) Moisture Sensitivity Level
Design and Simulation Data
Symbol/Footprint/3D Model(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian

Specifications

Herstellername
Rohm
Produktname
DTD114EKT146
Produkt Klassifikation
Bipolartransistor (BJT)
Lifecycle Status
Active
RoHS
RoHS
Transistor type
NPN-Prebias
Collector current
500mA
DC electricity gain
56@50mA@5V
Collector-emitter voltage
50V
Package
TO-236-3|SC-59|SOT-23-3
Other names
DTD114EKT146DKR | Q6455931 | DTD114EKT146TR | DTD114EKT146CT
Frequenz-Übergang
200MHz
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minimum)
56@50mA,5V
Mounting Type
Surface Mount
Paket (Lieferant)
SMT3
Power-Maximum
200mW
Spannungs-Kollektor-Emitter-Durchbruch (maximal)
50V
Stromabnehmer (Ic) (maximal)
500mA
Stromabnehmerabschaltung (maximal)
500nA
Type
NPN
Vce-Sättigung (maximal)
300mV@2.5mA,50mA
Widerstands-Emitter-Basis (R2)
10kOhms
Widerstandsbasis (R1)
10kOhms
Herstellerverpackung
Tape & Reel
Hersteller Verpackungsmenge
3000

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