HP8M31TB1 Rohm MOSFET - 商品詳細情報
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HP8M31TB1
HP8M31TB1
60V Nch+Pch Power MOSFET
HTSN : 8541290095
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| Datenblatt | |
|---|---|
| Datasheet(English) | EN_Rohm_Datasheet_20210617200100377 |
| Environmental and Reliability Data | |
| Other Environmental and Reliability Data(English) | Moisture Sensitivity Level |
| Design and Simulation Data | |
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Specifications
- Herstellername
- Rohm
- Produktname
- HP8M31TB1
- Produkt Klassifikation
- MOSFET
- Lifecycle Status
- Active
- RoHS
- RoHS
- Field-effect transistor type
- N and P-Channel
- Package
- 8-Power TDFN
- Drain to Source voltage
- 60V
- Mounting Type
- Surface Mount
- Other names
- HP8M31TB1DKR | HP8M31TB1TR | HP8M31TB1CT
- Eingangskapazität – (Ciss, wenn Vds angelegt wird)
- 470pF|2300pF@30V
- Einschaltspannung – (Vgs bei angelegter Id)
- 3V@1mA
- Einschaltwiderstand – (Rds, wenn Id,Vgs angewendet wird)
- 65mOhm@8.5|10|70mOhm@8.5A|10V
- FET Feature
- Standard
- Gate-Ladung – (bei Anwendung von Vgs)
- 12.3nC|38nC@10V
- Operating temperature
- 150C
- Paket (Lieferant)
- 8-HSOP
- Power-Maximum
- 3W
- Strom – Entleerung (Id) (25 °C)
- 8.5A
- Hersteller Verpackungsmenge
- 500
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