Herstellername

Vishay

Produktname

SI4599DY-T1-GE3

Produkt Klassifikation

MOSFET

Lifecycle Status

Active

RoHS

RoHS

Series name

TrenchFET(R)

Field-effect transistor type

N and P-Channel

Package

8-SOIC(0.154inch|3.9mm)

Drain to Source voltage

40V

Continuous drain current

6.8A/5.8A

Mounting Type

Surface Mount

Other names

SI4599DY-T1-GE3CT | SI4599DY-T1-GE3DKR | SI4599DY-T1-GE3TR | SI4599DYT1GE3

Eingangskapazität – (Ciss, wenn Vds angelegt wird)

640pF@20V

Einschaltspannung – (Vgs bei angelegter Id)

3V@250uA

Einschaltwiderstand – (Rds, wenn Id,Vgs angewendet wird)

35.5mOhm@5A|10V

FET Feature

Logic Level Gate

Gate-Ladung – (bei Anwendung von Vgs)

20nC@10V

Operating temperature

-55 to 150C

Paket (Lieferant)

8-SO

Power-Maximum

3W|3.1W

Strom – Entleerung (Id) (25 °C)

6.8|5.8A

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