"MOSFET"搜索结果

已选0种商品
批量添加到购物篮

批量添加到报价篮

添加到物料清单

您希望的数量 (最多5产品)
其他库存信息

添加到物料清单

现有BOM

新BOM

产品信息	生命周期状态	ECCN	系列名	FET类型	Technology System	漏源电压	连续漏极电流	源漏开态电阻	Vgs(th)	Gate Charge (Qg)	Vgs (Max)	Input Capacitance (Ciss)	消耗电力	动作温度范围
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon Technologies MOSFET TRANSJFETNCH600V15AGAN8PINLSONEP 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99													SP001705420 \| IGLD60R070D1AUMA1DKR \| IGLD60R070D1AUMA1TR \| 2156-IGLD60R070D1AUMA1TR \| IGLD60R070D1AUMA1CT
GS-065-060-5-B-A-MR Infineon Technologies MOSFET 650VAUTOMOTIVEEMODEGANTRANSISTOR 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99					60	650		14					11.0 x 9.0 x 0.63	25	Automotive 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
GS-065-008-1-L-TR Infineon Technologies MOSFET MOSFET650V 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					8	650		1.5					5.0 x 6.0 x 0.85	225	650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled	SaleProducts202508zh	Transistors / Special Price
GS66504B-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					15	650		3.3					5.0 x 6.6 x 0.51	100	650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99	CoolGaN(TM)	N-CH	MOSFET(Metal Oxide)	600V	10A		1.6 V		-10V	157pF	62.5W	-55 to 150C
IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies MOSFET GALLIUMNITRIDECOOLGAN™600VEMODEPOWERTRANSISTOR 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99	CoolGaN(TM)	N-CH	GaNFET(Gallium Nitride)	600V	12.5A		1.6 V		-10V	157pF	55.5W	-55 to 150C	IGT60R190D1SATMA1DKR \| 2156-IGT60R190D1SATMA1-448 \| SP001701702 \| IGT60R190D1SATMA1CT \| IGT60R190D1SATMA1TR
IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies MOSFET TRANSMOSFETNCHGAN100V21A6PINVSON 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99	CoolGaN(TM)	N-CH	MOSFET(Metal Oxide)	600V	10A		1.6 V		-10V	157pF	62.5W	-55 to 150C
GS66516B-MR Infineon Technologies MOSFET EMODEGANTRANSISTOR 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					60	650		14.2					11.0 x 9.0 x 0.54	25	650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
GS61008T-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					90	100		8					7.0 x 4.0 x 0.54	7	100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled	CP_transistor
GS66508T-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					30	650		6.1					7.0 x 4.5 x 0.54	50	650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled
GS61004B-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					38	100		3.3					4.6 x 4.4 x 0.51	16	100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
GS66508B-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					30	650		6.1					7.0 x 8.4 x 0.51	50	650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
GS66506T-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99					22.5	650		4.5					5.6 x 4.5 x 0.54	67	650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled
GS-065-060-5-T-A-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					60	650		14					9.0 x 7.6 x 0.69	25	Automotive 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled
GS-065-004-1-L-TR Infineon Technologies MOSFET MOSFET650V 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					4	650		0.8					5.0 x 6.0 x 0.85	450	650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled	SaleProducts202508zh	CP_transistor
IGO60R070D1AUMA1 Infineon Technologies MOSFET GALLIUMNITRIDECOOLGAN™600VEMODEPOWERTRANSISTOR 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99	CoolGaN(TM)	N-CH	GaNFET(Gallium Nitride)	600V	31A		1.6 V		-10V	380pF	125W	-55 to 150C
GS-065-030-2-L-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					30	650		6.7					8.0 x 8.0 x 0.9	50	650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
GS-065-030-2-L-TR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中							30	650		6.7					8.0 x 8.0 x 0.9	50	650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )	ECCN：EAR99	CoolGaN(TM)											-55 to 150C(TJ)	20-PowerSOIC(11.0mm Width)	448-IGO60R070D1AUMA2TR \| SP005557222 \| 448-IGO60R070D1AUMA2DKR \| 448-IGO60R070D1AUMA2CT	Surface Mount	85 to 305V	PG-DSO-20-85
GS66516B-TR Infineon Technologies MOSFET EMODEGANTRANSISTOR 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )
IGLR60R190D1E8238XUMA1 Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中			CoolGaN(TM)
IGOT60R070D1E8237AUMA1 Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中	( PCN/PDN信息 )		CoolGaN(TM)
GS61008P-MR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中		ECCN：EAR99					90	100		8					7.6 x 4.6 x 0.51	7	100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
GS66508T-TR Infineon Technologies MOSFET 添加到了物料清单中添加到物料清单现有BOM 新BOM 添加到了收藏夹中							30	650		6.1					7.0 x 4.5 x 0.54	50	650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled

・可以识别多个型号的搜索

・无法确定型号（规格确定）也可以搜索

"MOSFET"搜索结果

厂商

系列名

FET类型

Technology System

封装

漏源电压

连续漏极电流

源漏开态电阻

Vgs(th)

Gate Charge (Qg)

Vgs (Max)

Input Capacitance (Ciss)

消耗电力

动作温度范围

日	一	二	三	四	五	六
30	1	2	3	4	5	6
7	8	9	10	11	12	13
14	15	16	17	18	19	20
21	22	23	24	25	26	27
28	29	30	31	1	2	3

日	一	二	三	四	五	六
28	29	30	31	1	2	3
4	5	6	7	8	9	10
11	12	13	14	15	16	17
18	19	20	21	22	23	24
25	26	27	28	29	30	31

批量搜索

・可以识别多个型号的搜索

・无法确定型号（规格确定）也可以搜索

关于优惠等级和折扣率

"MOSFET"搜索结果

厂商

系列名

FET类型

Technology System

封装

漏源电压

连续漏极电流

源漏开态电阻

Vgs(th)

Gate Charge (Qg)

Vgs (Max)

Input Capacitance (Ciss)

消耗电力

动作温度范围