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ゲート総電荷量
最大ゲートソース間電圧
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消費電力
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長期供給プログラム

GS66516BMRXUSA1

Infineon Technologies

MOSFET

EMODEGANTRANSISTOR

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-55 to 150C(TJ) Die Surface Mount 85 to 264V Die

GS-065-060-5-B-A-MR

Infineon Technologies

MOSFET

650VAUTOMOTIVEEMODEGANTRANSISTOR

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EAR99

60 650 14 11.0 x 9.0 x 0.63 25 Automotive 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled

GS-065-004-1-L-TR

Infineon Technologies

MOSFET

MOSFET650V

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EAR99

4 650 0.8 5.0 x 6.0 x 0.85 450 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled CP_transistor

GS-065-008-1-L-TR

Infineon Technologies

MOSFET

MOSFET650V

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EAR99

8 650 1.5 5.0 x 6.0 x 0.85 225 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled Transistors / Special Price

IGO60R070D1AUMA2

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

CoolGaN(TM) -55 to 150C(TJ) 20-PowerSOIC(11.0mm Width) 448-IGO60R070D1AUMA2TR | SP005557222 | 448-IGO60R070D1AUMA2DKR | 448-IGO60R070D1AUMA2CT Surface Mount 85 to 305V PG-DSO-20-85

GS66504B-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

15 650 3.3 5.0 x 6.6 x 0.51 100 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled

IGLD60R190D1AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

CoolGaN(TM) N-CH MOSFET(Metal Oxide) 600V 10A 1.6 V -10V 157pF 62.5W -55 to 150C

IGO60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

GALLIUMNITRIDECOOLGAN™600VEMODEPOWERTRANSISTOR

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EAR99

CoolGaN(TM) N-CH GaNFET(Gallium Nitride) 600V 31A 1.6 V -10V 380pF 125W -55 to 150C

IGT60R190D1SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

GALLIUMNITRIDECOOLGAN™600VEMODEPOWERTRANSISTOR

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EAR99

CoolGaN(TM) N-CH GaNFET(Gallium Nitride) 600V 12.5A 1.6 V -10V 157pF 55.5W -55 to 150C IGT60R190D1SATMA1DKR | 2156-IGT60R190D1SATMA1-448 | SP001701702 | IGT60R190D1SATMA1CT | IGT60R190D1SATMA1TR

IGLD60R190D1AUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

CoolGaN(TM) N-CH MOSFET(Metal Oxide) 600V 10A 1.6 V -10V 157pF 62.5W -55 to 150C

IGO60R070D1AUMA2

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

CoolGaN(TM) 448-IGO60R070D1AUMA2TR | SP005557222 | 448-IGO60R070D1AUMA2DKR | 448-IGO60R070D1AUMA2CT

GS66516B-MR

Infineon Technologies

MOSFET

EMODEGANTRANSISTOR

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EAR99

60 650 14.2 11.0 x 9.0 x 0.54 25 650V, 60A, GaN E-mode,  GaNPX® package, Bottom-side cooled

GS61008T-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

90 100 8 7.0 x 4.0 x 0.54 7 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled CP_transistor

GS66508T-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

30 650 6.1 7.0 x 4.5 x 0.54 50 650V, 30A, GaN E-mode,  GaNPX® package, Top-side cooled

GS61004B-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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38 100 3.3 4.6 x 4.4 x 0.51 16 100V, 38A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled

GS66508B-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

30 650 6.1 7.0 x 8.4 x 0.51 50 650V, 30A, GaN E-mode,  GaNPX® package, Bottom-side cooled

GS66506T-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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22.5 650 4.5 5.6 x 4.5 x 0.54 67 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled

GS66502B-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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7.5 650 1.6 5.0 x 6.6 x 0.51 200 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled

GS-065-060-5-T-A-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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60 650 14 9.0 x 7.6 x 0.69 25 Automotive 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled

GS-065-030-2-L-MR

Infineon Technologies

MOSFET

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EAR99

30 650 6.7 8.0 x 8.0 x 0.9 50 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled

GS-065-030-2-L-TR

Infineon Technologies

MOSFET

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30 650 6.7 8.0 x 8.0 x 0.9 50 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled

IGLR60R190D1E8238XUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

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CoolGaN(TM)

IGLR60R260D1E8238XUMA1

Infineon Technologies

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CoolGaN(TM)

IGOT60R070D1E8237AUMA1

Infineon Technologies

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GS66516B-TR

Infineon Technologies

MOSFET

EMODEGANTRANSISTOR

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