IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies MOSFET - 商品詳細情報
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製品仕様
- 製品名
- IRF530NSTRLPBF
- 製品分類
- MOSFET
- ライフサイクル
- 量産中
- RoHS
- RoHS対応
- シリーズ名
- HEXFET(R)
- FETタイプ
- N-CH
- 技術方式
- MOSFET(Metal Oxide)
- パッケージ
- TO-263-3|D2Pak|TO-263AB
- ドレインソース電圧
- 100V
- 連続ドレイン電流
- 17A
- 最大/最小駆動電圧
- 10V
- ドレインソースオン抵抗
- 90mOhm
- 最大ゲートしきい値電圧
- 4 V
- ゲート総電荷量
- 37nC
- 最大ゲートソース間電圧
- 20V
- 入力静電容量
- 920pF
- 消費電力
- 3.8|70W
- 動作温度範囲
- -55 to 175C
- その他の型番/品番
- IRF530NSTRLPBFDKR | IRF530NSTRLPBFCT | IRF530NSTRLPBFTR | IRF530NSTRLPBF-ND | SP001563332
- タイプ
- Power MOSFET
- メーカ荷姿
- Tape & Reel
- メーカ梱包数量
- 800
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製品説明
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